三星贴片电容的材料特性和结构，贴片电容的结构大同小异，表现不同点是在容值和功率上，下面世祥电子为你讲解三星贴片电容的结构和特性。

1：三星贴片电容结构：从下图可以看出，贴片电容主要由陶瓷介质，内电极，端电极Sn焊接层，端电极Ni阻挡层，端电极底层组成。

2：三星贴片电容材料特性：

Ⅰ类介质电容器(NP0 温度补偿型)：

COG电气性能参数稳定,随温度,电压,时间的变化率很小,适合使用在对稳定性要求较高的高频电路中，如谐振电路。采用特殊结构设计可以获得较低的ESR.其高”Q”值产品的Q值可以达到1000以上.

C0G—使用温度范围在-55~+125℃，容量变化范围为0±30ppm/℃.

1类瓷的EIA标志代码(-55℃～125℃)

Ⅱ类介质电容器：

X7R(X5R):电气性能参数较稳定,随温度的变化其性能变化不很显著。X7R属高K值电介质,可生产较高容量的电容器.适用于隔直,耦合,旁路的电路中(X5R:-55，85，C%±15%)。

Y5V:电气性能参数的稳定性较差,但可生产出更高容量的电容器。适用于去偶电路和滤波电路。