通过实验TDK贴片电容确定有三个重要参数可帮助设计工程师确定最佳的ESD电容器值: (1)击穿电压、(2)电容量和(3)直流偏压。

1.Vbd试验结果示例

Vbd（Voltage BreakDown，击穿电压）是用于量化电容器电压等级强度的方法。以固定电压斜率（即: 100v/s）将直流电压印加到电容器，直到部件故障。这能确定电容器可承受的最大持续电压，但不会直接指示最大ESD电压等级。

2.DUT效应是指在ESD试验电路中被测试的电容器上看到的有效电压。

点分析显示測定电压（VX）与DUT （CX）之间的关系:

通过电源电压（VO）和充电电容器（CO）保持不变，测定电压（VX）和电容器电容器（CX）之间的关系成反比。这表示选择的CX值越高，VX越小。
为说明电容器效应，以1000pF 电容器 （CX）的4kV （VO） ESD要求为例。同时还假定我们采用的是使用CO=150pF的AEC-Q200试验方法。DUT效应关系显示印加4kV时，CX只显示521.7V （VX）。

3.给陶瓷电容器印加直流偏压时、有效电容量可能与標称电容量不同。直流偏压通常用针对標称值的电容量变化百分比表示。

直流偏压大多是由于电介质材料。当然其它设计和结构因素也起一定作用。对于Class I电介质（如：C0G）变化相对较小。对于Class II（如：X7R和X5R），您可能会看到刚开始电容量略微增加，但随即在您接近额定电容量时稳定下降。通常对于Class II电介质，直流偏压介于-10%到-70%之间。
随着施加电压增加，有效电容量下降。直流偏压是可重复的，只要您不超过额定电压，对电容器性能或寿命都不会造成严重影响。